AlN keramisk substrat

AlN Ceramic Substrat har utmerket termisk ledningsevne, lav dielektrisk konstant og dielektrisk tap og pålitelig isolasjonsytelse; I tillegg har AlN-substratet også gode mekaniske egenskaper, ikke-giftig, høy temperaturmotstand og kjemisk korrosjonsbestandighet. AlN (Aluminium Nitride) keramisk substrat har en termisk ekspansjonskoeffisient som ligner på silisium. Som et nytt keramisk materiale har Aluminium Nitride tiltrukket seg mer og mer oppmerksomhet fra ingeniører og forskere. AlN keramisk plate produsert av vårt selskap er mye brukt i kommunikasjonsenheter, høy lysstyrke LED, strøm elektroniske enheter og andre bransjer. Det er et elektronisk keramisk materiale med utmerket ytelse. Følgende er egenskapene til vår AlN-plate:

(1) Høy termisk ledningsevne, 5-10 ganger aluminiumoksidkeramikk, tilsvarende svært giftig berylliumoksid (BeO);

(2) Den termiske ekspansjonskoeffisienten (4,3 x 10^-6/°C) samsvarer med halvledersilisiummaterialet (3,5-4,0 x 10^-6/°C);

(3) Gode mekaniske egenskaper, høyere bøyestyrke enn BeO keramikk og nær alumina;

(4) Utmerket elektrisk ytelse, ekstremt høy isolasjonsmotstand og lavt dielektrisk tap;

(5) Kompatibiliteten til kretsmaterialer er god, muti-lagledninger kan utføres, og høy tetthet og miniatyrisering av pakken kan realiseres;

(6) Ikke giftig og gunstig for miljøvern.

Vanlige programmer

Materialegenskaper (AlN)

AlN-arksubstratet produsert av UNIPRETEC Ceramic Technology har utmerkede termiske, mekaniske, elektriske egenskaper, høy termisk ledningsevne, høy styrke og andre gode egenskaper. Med den raske utviklingen av mikroelektronisk utstyr og enheter har AlN Aluminium nitride substrater blitt mye brukt. Enhver forespørsel eller kontakt vil bli hjertelig velkommen.

Populære tags: aln keramisk substrat, Kina, leverandører, produsenter, fabrikk